03/04/2012 - HELIOS-Projekt: Die Silizium-Technologie voranbringen

Menéame

Forscher aus Europa haben es geschafft, einen integrierten schalldichten Transmitter auf Silizium zu bauen, der erste in seiner Klasse. Ihre Ergebnisse sind ein Produkt der HELIOS-Projekt (Funktionale Integration der Photonikelektronik für die zusätzliche Metalloxid-semiconductor-Technologie (CMOS)), die mit 8,5 Mio. EUR aus dem Thema Informations- und Kommunikationstechnologien des 7. Rahmenprogramms der Europäischen Union (RP7) finanziert wird. Das Team präsentierte seine Ergebnisse auf dem KongressOptical Fiber Communication(Fiberoptik-Mitteilung), die vor kurzem in Los Angeles (USA) stattfand.

Experten des Labors für Elektronik und Informationstechnologie der französischen Atomenergiekommission (CEA-Leti) in Saclay (Frankreich) und des Labors III-V, eines gemeinsamen Labors von Alcatel-Lucent Bell Labs Frankreich in Zusammenarbeit mit Thales Research and Technology (Vereinigtes Königreich) und der CEA-Letis selbst erklären, dass die aus Silizium integrierte einstellbare Laserquelle ein Pionier in Richtung auf die Herstellung vollständig integrierter Transceiver. An der Forschung nahmen Forscher der Universität Gent und des Interuniversitären Zentrums für Mikroelektronik (imec, Belgien) und der Universität Surrey (Vereinigtes Königreich) teil, die für die Entwicklung des Modulators zuständig waren.

Die CEA-Leti-Gruppe und das Labor III-V haben auch die Möglichkeit geprüft, einstellbare Laser mit einer einzigen Bandbreitenlänge mit einer Grenzschwelle von 21 mA bei 20 Grad Celsius, 45-Nm-Tunerbereich und einem seitlichen Einstellungsverhältnis (SMSR) von mehr als 40 dB im Tuningbereich.

Forscher sagen, Siliziumfotonik ist eine Technologie mit einem enormen Potenzial, das die großflächige Herstellung von CMOS in Photonikgeräten, deren Preis derzeit hoch ist, wenn sie nicht über die Technologie verfügt, die sie ermöglicht, verwirklichen könnte. Eine weitere Herausforderung für das Siliziumfotoniker ist der Mangel an Siliziumquellen, das grundlegende Material der CMOS, so die Forscher.

Wir können dieses Problem durch die Verbindung von Material III-V, das notwendig ist, um Lichtquellen zu aktivieren, auf einem Silizium-Scheiben, um dann beide zu kovertieren und zwei Ziele gleichzeitig zu erreichen, überwinden, erklärte Martin Zirngibl, Direktor von Labs Physical Technologies Research. ● Die traditionelle CMOS-Verarbeitung wird weiterhin in den Prozess eingesetzt, aber jetzt ist es möglich, gleichzeitig und direkt in das Silizium aktive Lichtquellen zu integrieren.

In Bezug auf die Ergebnisse erklärte Laurent Fulbert, Leiter des Fotonik-Programms von CEA-Leti Frankreich: "Wir sind stolz darauf, in Verbindung mit dem Labor III-V die Ergebnisse des integrierten Photonentransmitters auf Silizium und Tunable Laser vorzulegen. Die Fähigkeit zur Integration eines konjugierbaren Lasers, eines Modulators und passiver Wellenführungen in Silizium ebnet den Weg für neue Leistungen bei integrierten Transceivern, die unterschiedliche praktische Bedürfnisse in Zugangsnetzen und Metropolen, Servern, Rechenzentren, Hochleistungscomputern und in Verbindungsleitungen in Platten und Racks lösen. Wir freuen uns, unseren Beitrag zu diesen avantgardistischen Ergebnissen leisten zu können, die zweifellos die optische Kommunikation revolutionieren können.

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Weitere Informationen:

· CEA-Leti:             http://www.leti.fr

· HELIOS:               http://www.helios-project.eu

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