27/09/2011 - Mémoires FeTRAM avec des chromatogrammes ferroélectriques

Menéame

Des chercheurs du Centre de Nanotechnologie Birck, à l’Université de Purdue, développent un nouveau type de mémoire, FeTRAM, orienté vers les applications informatiques, qui pourrait être plus rapide que les mémoires commerciales existantes et utiliser beaucoup moins d’énergie que les dispositifs de mémoire flash traditionnels. La technologie combine des nanocables en silicium avec du polymère ferroélectrique, un matériau qui change sa polarité lorsque des champs électriques lui sont appliqués, ce qui permet un nouveau type de transistor ferroélectrique.

La recherche de ce type de technologies "est à un stade précoce," a affirmé Saptarshi Das étudiant en doctorat, qui est en train de faire ce travail avec Joerg Appenzeller, professeur d’ingénierie électrique et informatique et directeur scientifique du département de Nano-électronique au Centre de Nanotechnologie Birck, à l’Université de Purdue. "Nous avons développé la théorie, nous avons réalisé l’expérience et nous avons également montré comment ces incinérateurs fonctionnent sur un circuit," a-t-il commenté. L’une des conditions élémentaires d’un système numérique est qu’il soit capable de stocker des informations en code binaire (zéros et uns) et la technologie FeTRAM remplit les trois fonctions fondamentales qu’une mémoire d’ordinateur doit posséder: écrire et/ou lire les informations et les stocker aussi longtemps que possible.

Les mémoires de technologie FeTRAM sont similaires à celles déjà connues, qui sont des mémoires d’accès aléatoire, à usage commercial et qui représentent une part relativement faible du marché des semi-conducteurs en général. Cependant, la différence entre les unes et les autres réside dans le fait que la nouvelle technologie permet une lecture non destructive, c’est-à-dire que l’information peut être lue sans être perdue. Grâce à cette avancée, des informations peuvent être stockées de manière non volatile en utilisant les nouveaux phéRAMs ferroélectriques, plutôt que les phéRAM classiques. Ces nouveaux dispositifs nécessitent 99% moins d’énergie pour fonctionner par rapport aux mémoires flash, c’est-à-dire aux puces traditionnelles de stockage non volatile qui forment les mémoires qui prédominent sur le marché actuel. "Notre dispositif actuel, consomme plus d’énergie, car il ne possède pas de taille de production définitive," a déclaré Das. "Pour les générations futures des technologies de FeTRAM, l’un des principaux objectifs sera de réduire la dissipation de puissance."

 Le désir de stocker des informations sans inconvénients, pour la durée la plus longue possible, s’ajoute à la possibilité de disposer d’un dispositif capable de lire et d’écrire, autant de fois que nécessaire, pendant sa durée de vie. Cela s’ajoute aux exigences difficiles actuelles d’optimisation énergétique d’un ordinateur (transformé en ordinateur portable, tablette et même téléphone mobile), afin d’éviter les pertes d’énergie sous forme de température et ainsi d’obtenir des circuits plus efficaces. Et comme nous parlons d’emballer de plus en plus d’éléments actifs (transistors) dans des zones de plus en moins petites, l’utilisation de nanocables en silicium, ainsi que les nouveaux polymères ferroélectriques sont la réponse possible à ces besoins. Cette nouvelle technologie est également compatible avec les procédés de fabrication de l’industrie actuelle des semi-conducteurs complémentaires d’oxyde de métal (CMOS) qui est utilisée pour produire les circuits intégrés d’aujourd'hui. Comme nous l’avons mentionné au début, le développement de nouveaux polymères ferroélectriques, qui changent de polarité en étant exposés à des champs électriques, progresse sur le silicium et tente de lui arracher le règne, qui est déjà fortement menacé par le graphène. Pensez-vous que la nanotechnologie détournera complètement le silicium, en tant que matériau principal dans l’électronique active?

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