28/01/2014 - Mémoires magnétiques non effacées

Menéame

Aujourd'hui, la information qui contiennent la plupart des ordinateurs, appareils photo, cartes de crédit ou cartes de transport, entre autres, sont stockés sous forme de "zéros" et "uns" définis par la orientation du moment magnétique (une petite boussole) caractéristique des matériaux ferromagnétiques qui forment la mémoire (cobalte, fer, nickel, etc.). Naturellement, il est extrêmement dangereux d’approcher un aimant de la carte mémoire, car celui-ci réorientera le moment magnétique des éléments de mémoire et perdra les informations stockées.

Une équipe de Instituto de Ciencia de Materialos de Barcelona del CSIC, en collaboration avec des laboratoires américains et tchèques, a montré que d’autres matériaux magnétiques, appelés "matériaux magnétiques," peuvent être utilisés. anti-ferromagnétiques, pour stocker des informations. Le travail est publié dans le dernier numéro de la revue Nature Materials.

Les matériaux anti-ferromagnés sont constitués de nombreux petits "brussules" (moments magnétiques) qui pointent alternément dans des directions opposées, orientées selon des directions bien précises dans le matériau et qui ne peuvent être perturbées par des aimants conventionnels. "C’est pourquoi ces matériaux sont insensibles aux champs magnétiques extérieurs et pourraient constituer des mémoires très robustes. Pour la même raison qu’on ne peut pas facilement modifier avec des champs magnétiques, on ne peut pas non plus écrire d’informations sur eux," note le chercheur du CSIC Josep Foncuberta.

L’expérience consiste à utiliser des matériaux qui, avec un léger changement de température facilement accessible et contrôleable, passent de l’anti-ferromagnétiques à ferromagnétiques. L’information est écrite dans la phase ferromagnétique, en sélectionnant une direction de magnétisation par l’application d’un champ magnétique. Ensuite, les matériaux se refroidissent et passent à la phase anti-ferromagnétique, dans laquelle l’orientation des moments magnétiques (et, avec eux, l’information) est fixée. Une simple lecture de la résistance électrique permet de faire la distinction dans la direction où se trouvent les moments magnétiques et donc vous pouvez lire la mémoire. "Ces résultats ouvrent de nouvelles perspectives dans la conception de mémoires magnétiques, plus robustes et plus sûres," conclut le chercheur du CSIC.

Réf.

Dr. Xavier Martí, Dr. Ignasi Fina , Dr. Carlos Frontera , Dr. Jian Liu , Dr. Peter Wadley , Dr. Qing He , Mr. Ryan Paull , Mr. James Clarkson , Dr. Josef Kudrnovsky , Dr. Ilja Turek , Dr. Jan Kunes , Dr. Jiun-Haw Chu , Mr. Di Yi , Dr. Christopher Nelson , Dr. Long You , Dr. Elke Arenholz , Prof. Sayeef Salahuddin , Prof. Josep Fontcuberta , Dr. Tomas Jungwirth , Dr. Ramamoorthy Ramesh. Room-temperature antiferromagnétic memory resistor. Nature Materials.

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CSIC

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