10/09/2018 - Nuevas propiedades conductivas del Bismuto

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El estudio de la investigadora Maia G. Vergniory en el campo de los aislantes topológicos -materiales con propiedades universales especiales- le ha valido el reconocimiento de esta prestigiosa revista. El grupo de investigación en el que ha colaborado la investigadora del DIPC y de la UPV/EHU, ha estado formado por científicos de la Universidad de Zurich, de la Universidad de Princeton, del Instituto Max Planck de Microestructuras Físicas de Halle, de la Universidad Paris Sud y del CNRS.

Este equipo de investigación ha logrado demostrar que la estructura electrónica del bismuto, un elemento que se creía topológicamente trivial, es, de hecho, topológico. Este significativo avance ha llamado la atención de la revista Nature Physics, quien ha decidido dedicar su portada a este trabajo.

Los aislantes topológicos son materiales con propiedades de transporte electrónico muy especiales, que están protegidos contra las perturbaciones y deformaciones. Tales propiedades se describen teóricamente por la topología, una rama de las matemáticas relacionada con las propiedades de los objetos geométricos que no se modifican por las deformaciones continuas. Los materiales topológicos pueden ser materiales potencialmente importantes para diseñar los dispositivos electrónicos del futuro, para la computación cuántica o para desarrollar nuevas rutas en catálisis.

En 2016, tres investigadores obtuvieron el Premio Nobel de Física por su trabajo sobre materiales topológicos. Destacar que uno de ellos, Duncan Haldane, ha participado recientemente en un congreso organizado por el DIPC en el Palacio Miramar de Donostia / San Sebastián.

Referencia bibliográfica

Frank Schindler, Zhijun Wang, Maia G. Vergniory, Ashley M. Cook, Anil Murani, Shamashis Sengupta, Alik Yu. Kasumov, Richard Deblock, Sangjun Jeon, Ilya Drozdov, Hélène Bouchiat, Sophie Guéron, Ali Yazdani, B. Andrei Bernevig & Titus Neupert Higher-order topology in bismuth Nature Physics volume 14, pages 918–924 (2018) DOI: 10.1038/s41567-018-0224-7

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UPV/EHU

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