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Investigadores suizos han mostrado un sustrato basado en el mineral Molibdenita capaz de permitir el flujo de electrones a través de una lámina, sustituyendo eficazmente al actual silicio como semiconductor.
El disulfuro de molibdeno (MoS2), comúnmente denominado Molibdenita, es un mineral parecido al grafito en apariencia y tacto y suele ser utilizado como lubricante en aplicaciones industriales.
Investigadores suizos de la Escuela Politécnica Federal de Lausanne (EPFL) le han dado un nuevo uso gracias a un interesante desarrollo, ya que lo están implementando para reemplazar a los sustratos basados en silicio dentro de componentes electrónicos, como es el caso de transistores, microprocesadores, LEDs o paneles solares. Según estos investigadores, es capaz de permitir el flujo de electrones consumiendo 100.000 veces menos energía que los actuales diseños de silicio.
De mantenerse el desarrollo de este nuevo componente, aún en una fase inicial, podría revolucionar la industria de los semiconductores. Y es que la conductividad dentro de la Molibdenita se puede llevar a cabo en unas láminas con un grosor tres veces menor que las de silicio. De hecho en la actualidad no se pueden fabricar sustratos tan delgados.
Además, este material ofrece otra ventaja adicional ya que es capaz de retener la energía, mientras que en otros circuitos parte de la corriente consumida se “escapa” de ellos inevitablemente.
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