11/12/2012 - Ingenieros del MIT desarrollan un transistor de apenas 22 nanómetros

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Ingenieros del Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT), en EEUU,  desarrollaron un transistor ultra pequeño que mide apenas 22 nanometros y podría competir con los microchips de silicio, según un artículo publicado por el MIT.

El nuevo récord de miniaturización ha sido posible gracias al uso de un material compuesto, arseniuro de indio y galio, conocido hasta ahora en tecnologías de radares, láseres y comunicaciones por fibra óptica.

“Cuantos más transistores quepan en un chip, más poderoso es y más funciones puede cumplir”, señaló Jesús del Alamo,  profesor del departamento de Ingeniería Eléctrica del MIT y coautor del invento. El nuevo transistor, en su opinión, es un candidato prometedor para remplazar el silicio en toda clase de dispositivos informáticos.

Matthias Passlack, de la empresa taiwanesa TSMC, destacó que la labor de Del Álamo marca un hito en el estudio de semiconductores. “Él y su equipo han probado de forma experimental que los canales de arseniuro de indio son mejores que el silicio en dispositivos pequeños”.

Siguientes pasos

El paso siguiente será mejorar el comportamiento eléctrico y, por tanto, la velocidad del transistor eliminando resistencia indeseable en su interior. Una vez logrado este objetivo, los ingenieros intentarán reducir su tamaño por debajo de 10 de nanómetros.

Los investigadores presentarán los resultados de su trabajo en una conferencia internacional sobre dispositivos electrónicos que tendrá lugar esta semana en San Francisco.

Imagen (Fuente MIT): Micrografía electrónica de una sección transversal del transistor fabricado. El V central invertida es la puerta. Los dos contactos de molibdeno a ambos lados son la fuente y el drenador del transistor.

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